1 2 3

Flash Memory的技术特性   

    闪存(Flash Memory)是非掉电易失性内存的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又具备掉电易失性内存可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点，故是现阶段行动储存装置的首选。近年来由于手机、PDA、MP3、DSC等应用系统的带动，Flash Memory的需求量和容量也有了跳跃式的成长。 （本文有一定技术性，不适合入门读者阅读）

    Flash Memory的标准物理结构，称之为基本位(cell)；一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

    Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。

    从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据)；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。其对应关系如下：

    过去一般闪存大厂如Intel、AMD、或是台湾的旺宏等，都是以生产NOR Flash闻名，最常见的应用就是行动电话；虽然这种NOR内存的读写速度快，但高成本却是个问题。另一种名为NAND Flash的半导体技术容量较大，以目前韩国的SAMSUNG所生产单颗的NAND Flash内存来说，最大容量已高达8 Gbit，所以这种内存多用在一般需要大容量的记忆卡、USB随身，或MP3随身听中。

NAND独领风骚

    NAND型闪存的应用除了内建在机器上，为了扩充及使用方便，亦有像软盘片一样可携式的包装，也就是闪存记忆卡，如：Compact Flash、Smart Media、Multi Media Card、Memory Stick与Secure Digital等。然而，随着现代人对数字电子产品的依赖日深，对基本储存容量的需求亦突飞猛进，因此，嵌入式Flash Memory的行情便跟着一片水涨船高。这种内存的读写速度虽然比较慢，但是成本极低，便成了需要大记忆容量电子产品的必要配备。

    In-Stat在四月初发布了一份报告指出，预估在2008年NAND Flash市场的终端产品出货值将是2004年的三倍多，从50亿美元激增到180亿美元，最大的应用是记忆卡或USB随身碟，而容量和售价则是顾客最感兴趣的两件事。

    插卡式市场的加持，使NAND Flash成为十足consumer-driven导向的产品，且对价格十分敏感，但也意味着可透过感受消费者价值来创造产品的差异化；倘若能把握此良机，In-Stat的资深总监Frand Dickson认为到2009年，Flash记忆卡的市场将接近120亿美元。

    无独有偶，三星(Samsung)半导体事业部门总裁黄昌圭也对NAND Flash市场抱以相当高的期待。在稍早列席三月份的Samsung年度盛事--Mobile Forum宣称，随着消费电子产品普及率增加，且内容丰富度愈来愈高，个人所需要储存容量将大幅增加，且这些储存内存也将由过去以硬盘为主，渐由NAND型Flash芯片组取代。

    依全球NAND型Flash芯片组市场占有率来看，三星电子(Samsung)目前虽已站稳全球第一大NAND型Flash芯片组供货商地位，然而为防卫东芝(Toshiba)的制造成本远低于现阶段三星SLC型Flash芯片组MLC规格产品。 

： MP3与DC降幅最大 500万象素DC跌破2千
： 便宜没好货? 6G新品iPod Mini 1800元

1 2 3